CM50MD1-12H
Artikelnummer CM50MD1-12H
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung IGBT Modules
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Technische Information von CM50MD1-12H
Hersteller-Teilenummer CM50MD1-12H Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Mitsubishi Electric Semiconductor Beschreibung IGBT Modules
Paket / Fall IGBT Modules Verfügbare Menge 1001 pcs
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Produktmodell

CM50MD1-12H

Einführung

IGBT-Modul, das für Anwendungen mit hocheffizienter, hochgeschwindigkeits-Leistungsumschaltung ausgelegt ist.

Marke und Hersteller

Mitsubishi Electric Semiconductor

Merkmale

Integrierte Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) Technologie, niedriger Energieverlust, hohe Schaltgeschwindigkeit, verbesserte Wärmeleistung.

Produktleistung

Hohe Effizienz in der Leistungskonversion, optimiert für mittlere Leistungsanwendungen, fähig, hohe Ströme und Spannungen zu verarbeiten.

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V, Kollektorstrom: 50 A, Gate-Emitter-Spannung: ±20 V.

Abmessungen, Form und Verpackung

Standardmodulverpackung, kompaktes Design für einfache Integration.

Qualität und Zuverlässigkeit

Entwickelt nach hohen Qualitätsstandards von Mitsubishi, lange Betriebslaufzeit und Stabilität unter hoher Last.

Produktvorteile

Reduziert Systemleistungsverluste, verbessert die Gesamtenergieeffizienz.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hohe Wettbewerbsfähigkeit in Bereichen, die effiziente Leistungsumschaltung erfordern.

Kompatibilität

Kompatibel mit Standardgatedriverspannungen.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen Sicherheits- und Umweltstandards.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für eine lange Lebensdauer mit minimaler Degradation, umweltfreundliche Materialien und Fertigungsprozess.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Energieversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für erneuerbare Energien, industrielle Motorantriebe, Energiemanagementsysteme.

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